BL8530C BL8530C是一種采用CMOS工藝生產(chǎn)的PFM升壓型DC/DC驅(qū)動(dòng)電路。最少只要外接四個(gè)
器件就可以構(gòu)建成升壓電路：一個(gè)功率MOS管，一個(gè)電感，一個(gè)肖特基二極管和一個(gè)濾
波電容。輸入電壓范圍為0.8V~6V，待機(jī)電流可低至1uA，無負(fù)載靜態(tài)電流典型值僅
20uA，主振蕩器工作頻率350KHz，根據(jù)所選型號(hào)可輸出2.5V~6.0V恒定電壓，精度高達(dá)
±2%，溫度系數(shù)100ppm/℃，可廣泛應(yīng)用于各類電池供電的便攜電子設(shè)備。
1 U1 BL8530C-502RN(SOT23-5), BL8530C-502RM(SOT23-3)
BL8530C-602RN(SOT23-5), BL8530C-602RM(SOT23-3)
2 Q1 AO3418 N 溝道MOSFET
3 L1 4.7uH 低ESR 功率電感，要求直流電阻小與0.1Ω
4 D1 1N5817 肖特基二極管
5 Cin 10uF/10V 電解電容
6 Cout 100uF/16V 鉭電容
7 R1 10KΩ電阻
8 D2 發(fā)光二極管
本手機(jī)應(yīng)急充器具有線路簡(jiǎn)單，效率高的特點(diǎn), 雙AA 電池供電時(shí)充電電流可
達(dá)500mA，效率大于80%，充電時(shí)發(fā)光二極管會(huì)點(diǎn)亮。采用BL8530C-502RN/RM 時(shí)
輸出為5V，可應(yīng)用于充電電壓為5V 的各類手機(jī)，采用BL8530C-602RN/RM 時(shí)輸出
電壓為6V，可用于諾基亞手機(jī)應(yīng)急充電。電路**率MOS 管選用低開啟電壓、低
導(dǎo)通電阻型，如AO3418、IRF7807V 等，電感必須采用低直流電阻型功率電感，選
取范圍3.3uH~10uH，直流電阻小于0.1 Ω。電感取值為3.3uH 時(shí)有利于提高低工
作電壓時(shí)的輸出能力，雖然輕負(fù)載時(shí)輸出紋波會(huì)略大，但對(duì)于充電應(yīng)用應(yīng)該沒有
太大影響。
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1 U1 BL8530C-502RN(SOT23-5)
2 Q1 AO3418 N 溝道MOSFET
3 L1 27uH 低ESR 功率電感，要求直流電阻小與0.1Ω
4 D1 1N5817 肖特基二極管
5 Cin 10uF/47V 電解電容
6 Cout 100uF/16V 鉭電容
7 Cp 1000pF 陶瓷電容
